1 范围和目的

1.1 范围

      GB/T 5959.1-2019的本条用以下内容代替。

      代替：

      GB/T 5959的本部分规定了通常由红外发射器产生的红外辐射在装置内明显超过热对流和热传导，作为传热方式，向被处理材料传递能量的工业电热设备和装置的安全要求。范围的进一步限制是在空气或真空中最大光谱辐射波长在780nm以上，且通过诸如热辐射或高压电弧发射宽波段连续光谱的红外发射器。

      GB/T 5959.1-2019将红外定义为频率范围在大约400 THz～300 GHz之间的光学辐射。在真空中的对应波长范围在780nm～10μm。工业红外加热通常使用额定温度在500℃～3000℃的红外源，从这些红外源发出的辐射主要位于780nm～10μm的波长范围内。

      由于大量的热发射器的发射波长可能低于780nm或高于3000 nm，所以本部分同样考虑了可见光和波长超过3000nm的辐射的安全方面的问题。

      本部分不适用于：

      ——以激光或发光二极管（LED）作为主要辐射源的红外装置-GB/T 20145-2006 及IEC 60825-1：2014［2］适用于此类装置；

      ——公用电器用具；

      ——实验室用电器用具-IEC 61010-1：2010［3］适用于此类器具；

      ——电阻加热裸导线、电热管或电热棒作为加热元件，且红外辐射并非预期应用中占支配地位的副作用的电热装置，由GB 5959.4-2008［］规定；

      ——所有红外发射器的标称总功率小于250 W的红外加热设备；

      ——手持红外设备。

      本部分范围内的工业红外电热设备通常利用焦耳效应，通过一个或多个辐射源，将电能转化为红外辐射，然后从一个或多个元件将辐射发射到被处理的材料上。以下红外加热元件更是如此：

      ——内部具有电阻元件的管状、板状或其他形状的陶瓷热红外发射器；

      ——以高温灯丝作为辐射源的红外石英玻璃管或卤素灯发射器；

      ——由二硅化钼、碳化硅、石墨、铁铬铝合金、耐火金属或类似材料制成的非绝缘元件；

      ——宽光谱电弧灯。

1.2 目的

      GB/T 5959.1-2019的本条适用。

2 规范性引用文件

      下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文

件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

      除以下内容外，GB/T 5959.1-2019的本章适用。

      增加：

      GB/T 5959.1-2019 电热和电磁处理装置的安全 第1部分：通用要求（IEC 60519-1：2015，IDT)

3 术语和定义

      除以下内容外，GB/T 5959.1-2019的本章适用。

      补充：

3.1 一般概念

3.1.101

      红外辐射 infrared radiation

      波长大于可见辐射波长的光学辐射。

      注1：780nm～1mm范围内的红外辐射通常分为：

      IR-A：780nm～1400nm，或者表面温度在3450℃～1800℃的灰体发射器；

      IR-B：1 400 nm～3000 nm，或者表面温度在1800℃～690℃的灰体发射器；

      IR-C：3 000nm～1mm，或者表面温度低于690℃的灰体发射器。

      温度与边界波长下的最大强度光谱相对应。

      上述范围与GB/T 20145-2006一致。

      注2：在GB/T 2900.83-2008中定义了下列术语：

      841-24-04：短波红外辐射或近红外辐射（780nm～2μm）；

      841-24-03：中波红外辐射或中红外辐射（2μm～4μm）；

      841-24-02：长波红外辐射或远红外辐射（4μm～1mm）．

      本部分没有采用这些术语。

      ［来源：GB/T 20145-2006,3.14，修改-修改了注1且增加了注2］

3.1.102

      红外加热 infrared heating

      由专门制造的设备发射，以吸收热辐射和光辐射，大部分是红外辐射形式进行的加热。

      ［来源：GB/T 2900.83-2008,841-24-05，修改-对定义进行了编辑性改动］

3.2 设备和设备状态

3.2.101

      红外装置 infrared installation

      红外电热装置 infrared electroheating installation

      利用红外加热完成工件处理的电热装置。

      ［来源：GB/T 2900.83-2008,841-24-09，修改-增加了另一个同义术语，缩短了定义］

3.2.102

      红外发射器 infrared emitter

      发射红外辐射的元件。

      注：这种元件通常是可替换的。

3.2.103

      红外源 infrared source

      通过焦耳效应将电能转换成热或辐射的红外发射器的一部分。

3.2.104

      灯丝 filament

      使电能在其中通过焦耳效应转换成热能的红外发射器的导线或线状物。

      ［来源：GB/T 2900.83-2008,841-24-27，修改-定义变得明晰］

3.2.105

      红外陶瓷加热器 infrared ceramic heater

      由陶瓷材料制成或覆盖的红外发射器。

      ［来源：GB/T 2900.83-2008,841-24-13，修改-缩短了定义］

3.2.106

      管状红外发射器 tubular infrared emitter

      具有一种基本尺寸（长）的红外发射器。

      注：这种发射器可包括反射方式且可以是直线型或弯曲的。

      ［来源：GB/T 2900.83-2008,841-24-24，修改-缩短了定义，增加了注］

3.2.107

      板状红外发射器 infrared plate emitter

      具有两种基本尺寸（长，宽）的红外发射器。

      注：这种发射器可包括反射方式且可以是平面或是曲面的。

      ［来源：GB/T 2900.83-2008,841-24-25，修改-缩短了定义，增加了注］

3.2.108

      红外石英发射器 infrared quartz emitter

      红外源在石英玻璃壳内的红外发射器。

      注：由类似维克玻璃的硬质玻璃制成的玻璃壳也包括在内。

      ［来源：GB/T 2900.83-2008,841-24-26，修改-缩短了定义，增加了注］

3.2.109

      卤素灯发射器 halogen lamp emitter

      钨丝位于充有卤素气体的气密性玻璃壳内的红外发射器，卤素很活跃地将玻璃内壁上的钨转移到钨丝上。

      注：卤素灯发射器是典型的红外石英发射器。

      ［来源：GB/T 2900.83-2008,841-24-22，修改-定义变得明晰，增加了注］

3.2.110

      红外反射器 infrared reflector

      反射并对红外辐射进行导向的无源、非透射组件。

      注：反射器可以是红外发射器的一部分，可能进行镜反射或漫反射。

3.2.111

      红外折射器 infrared refractor

      汇聚并对红外辐射进行导向的无源、透射组件。

      注：折射器可以是红外发射器的一部分。

3.2.112

      红外波长转换器 infrared wavelength converter

      在正常工作中被红外辐射加热到一定温度的红外装置内的元件，其自身发射的辐射参与工件的

加热。

      注：波长转换器的光谱具有比红外发射器的主辐射波长长很多的波长。

3.2.113

      红外模块 infrared module

      装有一个或多个红外发射器的组件。

      注：这种模块可以包括反射器、折射器、滤波器或其他保护发射器及冷却装置的措施。

3.2.114

      额定温度 rated temperature

      红外灯丝或红外发射器在额定电压下的最高表面温度。

      注1：该温度被用来确定热红外发射器的光谱辐射。

      注2：该温度在正常工作条件下适用。

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